Информация о паблике
- VK ссылка:public219221650
- Тип сообщества: открытое
Участники (112)
Институт сильноточной электроники СО РАН
Описание: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН)
Адрес: 635055, г. Томск, проспект Академический, д. 2/3
Директор: Илья Викторович Романченко
Сайт: https://www.hcei.tsc.ru
Тел.: 8(3822)49-15-44
Факс: 8(3822)49-24-10
Эл. адрес: contact@hcei.tsc.ru
Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук организован в 1977 г. для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований в области сильноточной электроники.
Организатор и первый директор института – академик РАН Г.А. Месяц. После него институтом руководили академики РАН С.П. Бугаев, С.Д. Коровин, Н.А. Ратахин. С апреля 2021 г. директором института является д.ф.-м.н. Илья Викторович Романченко, выпускник кафедры физики плазмы физического факультета ТГУ.
В институте 15 научных подразделений, включая 3 молодежных лаборатории, две из которых организованы в 2019 г., одна – в 2021 г. В структуру института входит Научно-исследовательский центр «Томский центр компетенций в области пучково-плазменной инженерии и синхротронных исследований». В ИСЭ СО РАН работают 2 академика РАН, 1 член-корреспондент РАН, 37 докторов и 62 кандидата наук. Число работающих без совместителей 363, из них 148 научных сотрудников. Доля исследователей в возрасте до 39 лет составляет 41%. Имеется очная аспирантура по двум направлениям подготовки и четырем специальностям, два диссертационных совета. Институт является базовым для кафедры физики плазмы Национального исследовательского Томского государственного университета.
Основные направления научных исследований института – фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий, а также современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах. Значительные практические перспективы имеют осуществляемые в институте работы по импульсной энергетике, в том числе направленные на осуществление инерциального термоядерного синтеза; разработки источников пучков частиц и излучений для исследований по радиационной стойкости, электромагнитной совместимости, радиолокации, в том числе в интересах оборонной отрасли; разработки физических основ и оборудования для электронно-ионно-плазменных технологий модификации материалов и изделий.
Результаты фундаментальных исследований и разработок, выполняемых в ИСЭ СО РАН, в значительной степени определяют мировой уровень исследований в указанных выше предметных областях. Исследования ведутся с использованием обширного парка электрофизических экспериментальных установок, в числе которых уникальные научные установки России ГИТ-12, МИГ, СИНУС-7, THL-100, УНИКУУМ.
Адрес: 635055, г. Томск, проспект Академический, д. 2/3
Директор: Илья Викторович Романченко
Сайт: https://www.hcei.tsc.ru
Тел.: 8(3822)49-15-44
Факс: 8(3822)49-24-10
Эл. адрес: contact@hcei.tsc.ru
Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук организован в 1977 г. для проведения фундаментальных и прикладных научных исследований в области сильноточной электроники.
Организатор и первый директор института – академик РАН Г.А. Месяц. После него институтом руководили академики РАН С.П. Бугаев, С.Д. Коровин, Н.А. Ратахин. С апреля 2021 г. директором института является д.ф.-м.н. Илья Викторович Романченко, выпускник кафедры физики плазмы физического факультета ТГУ.
В институте 15 научных подразделений, включая 3 молодежных лаборатории, две из которых организованы в 2019 г., одна – в 2021 г. В структуру института входит Научно-исследовательский центр «Томский центр компетенций в области пучково-плазменной инженерии и синхротронных исследований». В ИСЭ СО РАН работают 2 академика РАН, 1 член-корреспондент РАН, 37 докторов и 62 кандидата наук. Число работающих без совместителей 363, из них 148 научных сотрудников. Доля исследователей в возрасте до 39 лет составляет 41%. Имеется очная аспирантура по двум направлениям подготовки и четырем специальностям, два диссертационных совета. Институт является базовым для кафедры физики плазмы Национального исследовательского Томского государственного университета.
Основные направления научных исследований института – фундаментальные проблемы физической электроники, в том числе сильноточной электроники и разработка на их основе новых приборов, устройств и технологий, а также современные проблемы физики плазмы, включая физику низкотемпературной плазмы и основы ее применения в технологических процессах. Значительные практические перспективы имеют осуществляемые в институте работы по импульсной энергетике, в том числе направленные на осуществление инерциального термоядерного синтеза; разработки источников пучков частиц и излучений для исследований по радиационной стойкости, электромагнитной совместимости, радиолокации, в том числе в интересах оборонной отрасли; разработки физических основ и оборудования для электронно-ионно-плазменных технологий модификации материалов и изделий.
Результаты фундаментальных исследований и разработок, выполняемых в ИСЭ СО РАН, в значительной степени определяют мировой уровень исследований в указанных выше предметных областях. Исследования ведутся с использованием обширного парка электрофизических экспериментальных установок, в числе которых уникальные научные установки России ГИТ-12, МИГ, СИНУС-7, THL-100, УНИКУУМ.
